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型号 SI3475DV-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP
SI3475DV-T1-GE3 PDF
代理商 SI3475DV-T1-GE3
产品目录绘图 DV-T1-E3 Series 6-TSOP
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 950mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.61 欧姆 @ 900mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 500pF @ 50V
功率 - 最大 3.2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装 6-TSOP
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI3475DV-T1-GE3TR
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